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衬底技术的路线图正在变得空前丰富。传统的硅基GaN凭借大尺寸、低成本优势,在消费电子和部分工业应用中占据主导,英飞凌已在2025年展出300毫米硅基GaN晶圆,预计2026年底至2027年实现100伏器件的规模化量产。然而,当应用场景向1200伏以上高压、高温、高频领域延伸时,材料本征特性的重要性日益凸显。垂直GaN技术采用氮化镓单晶晶圆,可实现更高的击穿电压和功率密度,正成为研发的热点方向。与此同时,蓝宝石衬底GaN凭借性能与成本的平衡,在消费电子领域持续扩大应用;金刚石衬底则有望解决高功率场景下的散热难题,为极端条件下的应用开辟新可能。这种“多种衬底路线并存、按需选择”的格局,标志着GaN产业正走向成熟:不再追求单一技术方案的一统天下,而是在不同细分市场中寻找最优解。

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关于作者

刘洋,专栏作家,多年从业经验,致力于为读者提供专业、客观的行业解读。

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